2
Мы немало писали о технологии Intel 3D XPoint – высокопроизводительной памяти, которая объединяет в себе скорости DRAM и энергонезависимость флэш-памяти. Однако если вы думаете, что это единственный тип ReRAM – вы неправы.
В текущем году в производство планируется запустить CrossRar ReRAM, которая превосходит детище Intel и Micron во всех отношениях. Как сообщается, новинка будет работать в 1000 раз быстрее флэш-памяти NAND и потреблять 1/20 энергии. Также она в 1000 раз будет превосходить NAND по выносливости в плане циклов перезаписи.
Новая память работает в диапазоне температур от -40 ° C до +125 ° C, а также обеспечивает большие объёмы при меньшей цене, чем у 3D XPoint. Через несколько лет на рынке уже могут появиться 8-нанометровые чипы памяти CrossRar ёмкостью до 1 ТБ (да-да, именно чипы, а не конечные носители).
Наконец, есть налдежда, что новая память не будет эксклюзивом Intel, появившись и на системах с AMD. Остаётся ждать.
© 2004-2020, «Fotochki.com». Все права защищены.
При копировании материалов прямая открытая для поисковых систем гиперссылка на fotochki.com обязательна.
